[发明专利]玻璃衬底上的集成电路（IC）在审
| 申请号： | 201680054853.0 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN108028257A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 古仕群;D·D·金;M·M·诺瓦克;金钟海;C·H·芸;J-H·J·兰;D·F·伯迪 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;李春辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)包括玻璃衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件包括块体硅晶片的第一半导体区域。IC包括玻璃衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件包括块体硅晶片的第二半导体区域。IC包括在第一半导体区域与第二半导体区域之间的贯通衬底的沟槽。贯通衬底的沟槽包括设置在块体硅晶片的表面外的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 衬底 集成电路 ic | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路(IC)的方法，所述方法包括：制造第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件具有通过半导体层的第一部分的半导体材料连接的第一源极区和第一漏极区，并且所述第二半导体器件具有通过半导体层的第二部分的半导体材料连接的第二源极区和第二漏极区；去除所述半导体层的部分，使得所述半导体层的所述第一部分与所述半导体层的所述第二部分不连续；以及将玻璃衬底耦合至所述第一半导体器件和所述第二半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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