[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201680055102.0 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108140671A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨喜超;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 冯艳莲 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管(100)及其制作方法，隧穿场效应晶体管包括源区(101)、漏区(102)、沟道(104)、栅区和隔离墙，其中：源区和漏区设置于沟道两侧；沟道靠近漏区一侧的部分区域未被栅区覆盖；隔离墙包括设置于源区一侧的低介电常数隔离墙(1061)和设置于漏区一侧的高介电常数隔离墙(1062)；低介电常数隔离墙，覆盖源区靠近沟道一侧的部分区域以及覆盖栅区靠近源区一侧的侧表面；高介电常数隔离墙，覆盖沟道靠近漏区一侧未被栅区覆盖的区域，并覆盖漏区靠近沟道一侧的部分区域以及覆盖栅区靠近漏区一侧的侧表面，以削弱隧穿场效应晶体管的双极导电特性，并提升隧穿场效应晶体管的电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 漏区 隔离墙 隧穿场效应晶体管 沟道 栅区 覆盖 源区 低介电常数 高介电常数 侧表面 电流驱动能力 导电特性 靠近源 双极 制作 削弱 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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