[发明专利]具有凹陷的非活性的半导体沟道截面的3D半圆形垂直NAND串

摘要

包括每个存储器开口中的每级双存储器单元的垂直存储器器件可以具有突出到存储器开口内的存储器堆叠结构的面向的一对侧壁中的电介质分离器电介质结构。面向电介质分离器电介质结构的垂直半导体沟道的一对非活性的部分从控制栅极电极横向地凹陷。由于电介质分离器电介质结构，可以增强对这种垂直存储器器件的阈值电压的控制。由于控制栅极电极与垂直半导体沟道的非活性的部分之间的增加的距离，来自控制栅极电极的边缘电场较弱。存储器堆叠结构可以具有接触电介质分离器电介质结构的凹的侧壁和朝向控制栅极电极突出的凸的侧壁。

主权项

一种存储器器件，包括：位于衬底上的绝缘层和导电层的交替堆叠；一对分离器电介质结构，其延伸穿过所述交替堆叠并且沿着第一横向方向横向地延伸；以及存储器堆叠结构，存储器堆叠结构包括存储器膜和延伸穿过所述交替堆叠的垂直半导体沟道，存储器堆叠结构具有接触一对分离器电介质结构的侧壁的一对第一侧壁，并具有沿着第二横向方向向外突出的一对第二侧壁，其中所述第一侧壁从所述一对第二侧壁的基本上垂直的边缘向内横向地凹陷。