[发明专利]具有介质波导的化合物半导体光子集成电路有效
| 申请号： | 201680055252.1 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN108351467B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | M.弗洛詹茨克;W.瑞恩 | 申请（专利权）人： | BB光电公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过外延在衬底上生长一种光子集成电路（PIC）。该PIC包括至少一个有源元件、至少一个无源元件和介质波导。至少一个有源和无源元件形成在衬底之上并且彼此光接触。该介质波导形成在衬底之上，并且与该至少一个有源和无源元件光接触。使用III‑V化合物半导体材料来形成该至少一个有源元件和无源元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介质波导 化合物 半导体 光子 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种通过外延在衬底上生长的光子集成电路（PIC），该PIC包括：在衬底之上形成的至少一个有源元件；在衬底之上形成并且与该至少一个有源元件光接触的至少一个无源元件，其中使用III‑V化合物半导体材料形成该至少一个有源元件和该至少一个无源元件中的每一个；以及介质波导，其在衬底之上形成并且与有源和无源元件中的至少一个光接触。
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