[发明专利]用于在石墨基板上生长纳米线或纳米角锥体的方法在审
| 申请号： | 201680055313.4 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN108156828A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 金东徹;艾达·玛丽·霍埃斯;马齐德·孟希;比约恩·奥韦·菲姆兰;赫尔格·韦曼;任丁丁;达萨·德赫拉杰 | 申请（专利权）人： | 科莱约纳诺公司;挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 一种用于生长纳米线或纳米角锥体(nanopyramid)的方法，其包含：(I)提供石墨基板并且在升高的温度下将AlGaN、InGaN、AlN或AlGa(In)N沉积于该石墨基板上，以形成所述化合物的缓冲层或纳米级成核岛(纳米尺度成核岛)；(II)优选经由MOVPE或MBE于该石墨基板上的所述缓冲层或成核岛上生长多个半导体III‑V族纳米线或纳米角锥体、优选III‑氮化物纳米线或纳米角锥体。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨基板 角锥体 纳米线 核岛 缓冲层 优选 生长 氮化物纳米 纳米尺度 纳米级 沉积 半导体 升高 | ||
【主权项】：
一种用于生长纳米线或纳米角锥体的方法，包含：(I)提供石墨基板并且在升高的温度下将AlGaN、InGaN、AlN或AlGa(In)N沉积于所述石墨基板上，以形成所述化合物的缓冲层或纳米级成核岛；(II)优选经由MOVPE或MBE于所述石墨基板上的所述缓冲层或所述成核岛上生长多个半导体III‑V族纳米线或纳米角锥体，优选III‑氮化物纳米线或纳米角锥体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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