[发明专利]识别工艺拐点的技术

摘要

本发明提供用于识别工艺拐点的方法及设备。提供用于识别集成电路IC的工艺拐点的例示性方法。所述IC具有第一不对称环形振荡器ARO1，所述第一不对称环形振荡器包含具有低阈值电压LVT的上拉晶体管及具有常规阈值电压RVT的下拉晶体管；且具有第二不对称环形振荡器ARO2，所述第二不对称环形振荡器包含具有RVT的上拉晶体管及具有LVT的下拉晶体管。所述例示性方法包含：将致使所述集成电路在接近故障边缘的状态下操作的超低电源供应电压施加到所述ARO1及所述ARO2；测量所述ARO1的输出频率；测量所述ARO2的输出频率；计算所述ARO1的所述输出频率与所述ARO2的所述输出频率的计算比率；及比较所述计算比率与基准比率以识别所述工艺拐点。

主权项

1.一种用于识别集成电路的工艺拐点的方法，所述集成电路具有：第一不对称环形振荡器ARO1，其包含具有低阈值电压LVT的上拉晶体管及具有常规阈值电压RVT的下拉晶体管；及第二不对称环形振荡器ARO2，其包含具有RVT的上拉晶体管及具有LVT的下拉晶体管，所述方法包括：将超低电源供应电压施加到所述ARO1及所述ARO2，其中所述所施加超低电源供应电压致使所述集成电路在接近故障边缘的状态下操作；测量所述ARO1的输出频率；测量所述ARO2的输出频率；计算所述ARO1的所述输出频率与所述ARO2的所述输出频率的计算比率；及比较所述计算比率与基准比率，其中所述基准比率为在典型-典型TT工艺拐点、慢-慢SS工艺拐点，或快-快FF工艺拐点处所述ARO1的所述输出频率与所述ARO2的所述输出频率的比率，且其中如果所述计算比率大于所述基准比率的第一倍数或小于所述基准比率的第二倍数，则所述集成电路的制造工艺变化的值大体上处于不对称工艺拐点处。