[发明专利]半导体装置和其制造方法有效
| 申请号： | 201680055591.X | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN108140621B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 山本圭;六分一穗隆;中岛泰;北井清文;五藤洋一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/56;H01L23/12;H01L23/28;H01L23/36 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到一种半导体装置，该半导体装置通过减少由传递模塑成型时的压力引起的金属基座的变形，从而抑制在绝缘层产生裂纹，电可靠性高。具有：金属部件(2)，其在下表面设置有凹凸部(8)和凸状的周缘部(7)，该凸状的周缘部(7)将凹凸部(8)包围，且高度比凹凸部(8)的凸部(81)高或者与该凸部(81)相同；绝缘层(3)，其形成于金属部件(2)的上表面；金属层(4)，其形成于绝缘层(3)的上表面；半导体元件(1)，其与金属层(4)的上表面接合；以及封装树脂(5)，其对半导体元件(1)、金属层(4)、绝缘层(39)和金属部件(2)进行封装。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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