[发明专利]具偏移歧管的内部清洗喷洒器有效
申请号: | 201680055979.X | 申请日: | 2016-09-02 |
公开(公告)号: | CN108028217B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | K·格拉万;J·J·金;M·富勒 | 申请(专利权)人: | 恩特格里斯公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/02;H01L21/677;B65D51/16 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 顾晨昕 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种用于衬底容器的清洗塔组合件。所述组合件可包含用于安装到衬底容器的底板的清洗接口本体,所述清洗接口本体包含基座部分及顶部部分。所述基座部分可包含基本上管状基座侧壁且所述顶部部分可具有定位于所述基座部分的顶部边缘上的顶部侧壁。所述顶部部分可包含用于通过所述底板中的后部入口安装的入口喷嘴。所述入口喷嘴可具有从所述顶部侧壁向上延伸且界定所述入口喷嘴的内部的基本上管状侧壁。所述基座部分及所述顶部侧壁可界定安置成连接到所述基座部分及所述入口喷嘴的偏移导管部分,所述基座部分及所述入口喷嘴经由所述偏移导管部分流体连通。 | ||
搜索关键词: | 偏移 歧管 内部 清洗 喷洒 | ||
【主权项】:
1.一种用于衬底容器的清洗塔组合件,所述清洗塔组合件包括:清洗接口本体,其用于安装到衬底容器的底板,所述清洗接口本体包含:基座部分,其具有从底部边缘向上延伸到顶部边缘的基本上管状基座侧壁,所述底部边缘界定用于接达到所述基座部分的内部的第一孔隙,所述第一孔隙是围绕第一轴线同心;及顶部部分,其连接到所述基座部分,所述顶部部分包含定位于所述基座部分的所述顶部边缘上的顶部侧壁,所述顶部部分包含经配置用于通过所述衬底容器的所述底板中的入口安装的入口喷嘴,所述入口喷嘴具有从所述顶部侧壁向上延伸到喷嘴边缘的基本上管状喷嘴侧壁,所述喷嘴边缘界定用于接达到所述入口喷嘴的内部的第二孔隙,所述第二孔隙是围绕基本上平行于所述第一轴线且定位于所述第一轴线后部的第二轴线同心,其中所述顶部侧壁与所述基座部分配合以界定安置在所述第一孔隙与所述入口喷嘴之间的偏移导管部分,所述基座部分及所述入口喷嘴经由所述偏移导管部分流体连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造