[发明专利]双钙钛矿有效
| 申请号： | 201680056363.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108028320B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 亨利·詹姆斯·施耐德;埃米尔·阿巴斯·哈吉海拉德;费利西亚诺·朱斯蒂诺;玛丽娜·菲利普;乔治·沃洛纳凯斯 | 申请（专利权）人： | 牛津大学科技创新有限公司 |
| 主分类号： | H10K30/50 | 分类号： | H10K30/50;H10K85/50;H10K71/00;C07F1/10;C07F5/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 吕艳英;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请涉及一种包含半导体材料的半导体器件，其中，该半导体材料包含化合物，该化合物包含：(i)一种或多种第一一价阳离子[A]；(ii)一种或多种第二一价阳离子[B |
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| 搜索关键词： | 双钙钛矿 | ||
【主权项】：
1.一种包含半导体材料的半导体器件，其中，所述半导体材料包含化合物，该化合物包含：(i)一种或多种第一一价阳离子[A]；(ii)一种或多种第二一价阳离子[BI ]；(iii)一种或多种三价阳离子[BIII ]；和(iv)一种或多种卤素阴离子[X]。
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