[发明专利]激光加工方法及激光加工装置有效

专利信息
申请号: 201680056451.4 申请日: 2016-08-17
公开(公告)号: CN108093626B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 荻原孝文;近藤裕太 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B23K26/04;B23K26/53;H01L21/78
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;黄浩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 激光加工方法,包含:以硅基板的背面作为激光入射面,使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物,而使激光的第1聚光点沿着切断预定线移动,从而沿着前述切断预定线形成第1改质区域的第1工序;以及于第1工序后,以硅基板的背面作为激光入射面,一边使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物,并相对于对准激光的第1聚光点的位置使激光的第2聚光点偏移,一边使激光的第2聚光点沿着切断预定线移动,从而沿着前述切断预定线形成第2改质区域的第2工序。
搜索关键词: 激光 加工 方法 装置
【主权项】:
1.一种激光加工方法,其特征在于,包含:第1工序,对于包含在表面形成有多个功能元件的硅基板的加工对象物,以所述硅基板的背面作为激光入射面,使具有比1064nm大的波长的激光聚光,一边将所述硅基板的所述表面与所述激光的第1聚光点的距离维持为第1距离,一边使所述激光的所述第1聚光点沿着被设定为通过相邻的所述功能元件之间的切断预定线移动,从而沿着所述切断预定线形成第1改质区域;以及第2工序,在所述第1工序后,对于所述加工对象物,以所述硅基板的所述背面作为激光入射面,使具有比1064nm大的波长的所述激光聚光,一边将所述硅基板的所述表面与所述激光的第2聚光点的距离维持为比所述第1距离大的第2距离,且相对于对准所述激光的所述第1聚光点的位置,而使所述激光的所述第2聚光点在与所述硅基板的厚度方向及所述切断预定线的延伸方向的两方向垂直的方向上偏移,一边使所述激光的所述第2聚光点沿着所述切断预定线移动,从而沿着所述切断预定线形成第2改质区域。
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