[发明专利]基板及处理基板的方法

摘要

处理基板的方法包含以下步骤：提供基板，该基板具有聚合物介电层、形成在该聚合物介电层内的金属焊垫及形成在该聚合物介电层的顶上的第一金属层；在该基板的顶上沉积聚合物层；将该聚合物层图案化，以形成多个开口，其中该多个开口包括最靠近该金属焊垫所形成的第一开口；在该聚合物层的顶上沉积第一阻障层；在该第一阻障层的顶上沉积介电层；从该第一开口内及该聚合物层的场区蚀刻该介电层及该第一阻障层；在该基板的顶上沉积第二阻障层；在该基板的顶上沉积第二金属层，其中该第二金属层填充该多个开口；及从该聚合物层的场区的一部分蚀刻该第二金属层。

主权项

一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：提供基板，所述基板具有聚合物介电层、形成在所述聚合物介电层内的金属焊垫及形成在所述聚合物介电层的顶上的第一金属层；在所述基板的顶上沉积聚合物层；将所述聚合物层图案化，以将多个开口形成至所述第一金属层的顶表面上，其中所述多个开口包括最靠近所述金属焊垫所形成的第一开口；在所述聚合物层的顶上且在所述聚合物层中所形成的所述多个开口内沉积第一阻障层；在所述第一阻障层的顶上且在所述聚合物层中所形成的所述多个开口内沉积介电层；从所述第一开口内及所述聚合物层的场区蚀刻所述介电层及所述第一阻障层；在所述基板的顶上沉积第二阻障层；在所述基板的顶上沉积第二金属层，其中所述第二金属层填充所述多个开口；及从所述聚合物层的所述场区的一部分蚀刻所述第二金属层。