[发明专利]过饱和电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置有效
| 申请号： | 201680056648.8 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140613B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | S·M·朔贝尔;R·C·朔贝尔 | 申请（专利权）人： | 电路种子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及对基于新颖及创造性复合装置结构的电流场效应晶体管和跨阻抗MOS装置的改进，所述复合装置结构实现基于电荷的利用亚阈值操作的方法，所述方法用于设计模拟CMOS电路。本发明进一步涉及过饱和电流场效应晶体管(xiFET)，其具有源极、漏极、扩散、第一栅极和第二栅极端子，其中源极沟道界定于所述源极端子与所述扩散端子之间，漏极沟道界定于所述漏极端子与所述扩散端子之间。所述第一栅极端子电容耦合到所述源极沟道；且所述第二栅极端子电容耦合到所述漏极沟道。所述扩散端子接收引起整个所述源极和漏极沟道中的扩散电荷密度的改变的电流。所述xiFET提供用于设计各种模拟电路的基本构建块。 | ||
| 搜索关键词： | 过饱和 电流 场效应 晶体管 阻抗 mos 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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