[发明专利]SiC单晶锭在审
| 申请号： | 201680056842.6 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108138359A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 中林正史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基面位错和穿透螺旋位错的位错密度低，晶体品质优异，而且弹性应变小的SiC单晶锭。本发明的SiC单晶锭，其特征在于，至少从相对于锭的高度方向的相对位置为0.2～0.8的范围内任意切取SiC单晶基板时，在该基板表面观察到的基面位错密度与穿透螺旋位错密度分别为预定值以下，并且，在该基板的中心部测定出的拉曼位移值(A)与在周边部测定出的拉曼位移值(B)之差(A‑B)即拉曼指数为预定值以下。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锭 基面位错 螺旋位错 穿透 单晶基板 弹性应变 基板表面 晶体品质 中心部 周边部 基板 切取 位错 观察 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶锭，是在籽晶上具备SiC单晶的SiC单晶锭，其特征在于，锭顶端的晶体生长端面具有凸面形状，将该锭的籽晶侧底面设为零，并将从该锭侧面向内侧移动该锭直径的10％的位置的晶体生长端面的高度设为1，从锭的高度方向上的相对高度至少处于0.2～0.8的范围内的部分任意切取SiC单晶基板，此时，在该基板表面观察到的基面位错密度为1000个/cm2以下，且穿透螺旋位错密度为500个/cm2以下，并且，在该基板的中心部测定的拉曼位移值(A)与在周边部测定的拉曼位移值(B)之差(A‑B)即拉曼指数为0.20以下。
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