[发明专利]切割片及切割片的制造方法有效
| 申请号： | 201680056932.5 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108140566B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 河原田有纪;田矢直纪 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/24;C09J7/29 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种切割片及切割片的制造方法，所述切割片为具有基材薄膜2和层叠于基材薄膜2的单面的粘着剂层3的切割片1，基材薄膜2至少具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21，构成树脂层21的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，上述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。这种切割片1不需照射放射线即可制造，可抑制丝状切削片的产生并呈现良好的扩张性。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有基材薄膜和层叠于所述基材薄膜的单面侧的粘着剂层的切割片，其特征在于，所述基材薄膜至少具有位于距所述粘着剂层最近的位置的树脂层，构成所述树脂层的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，所述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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