[发明专利]用于自旋式组件的物理性去除和封装层原位沉积方法有效
| 申请号： | 201680057176.8 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN108140728B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王郁仁;皮克宇;童儒颖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于蚀刻磁性隧道结结构(MTJ)的方法，包括以下步骤：在一半导体基板的下电极(14)上形成一磁性隧道结堆叠组件(18)；蚀刻此磁性隧道结堆叠组件，以形成一磁性隧道结结构，其中磁性隧道结结构的侧壁因蚀刻制造工艺而被破坏。之后，将磁性隧道结结构自蚀刻室移出，使得其侧壁进一步地被氧化。随后，利用一物理性去除步骤，以除去这些侧壁上被破坏以及被氧化的部分；最后，即可在不破坏真空环境的条件下，在此磁性隧道结结构与下电极上沉积一封装层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 组件 物理 去除 封装 原位 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体基板的下电极上形成一磁性隧道结堆叠组件；图案化该磁性隧道结堆叠组件，以形成一磁性隧道结结构；然后，将该磁性隧道结结构自一蚀刻室移出，使该磁性隧道结结构的侧壁被破坏；然后，针对该磁性隧道结结构执行一物理性去除步骤，以除去该侧壁上被破坏的部分；然后，在不破坏真空环境的条件下，在该磁性隧道结结构与该下电极上沉积一封装层。
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