[发明专利]制造具有绝缘体上硅衬底的嵌入式存储器设备的方法

摘要

本发明公开了一种在相同的绝缘体上硅衬底上形成具有存储器单元和逻辑设备的半导体器件的方法。所述方法包括提供衬底，所述衬底包括硅、直接在所述硅上方的第一绝缘层，以及直接在所述第一绝缘层上方的硅层。使硅在所述衬底的第一（存储器）区域中的所述硅层上而不在所述衬底的第二（逻辑设备）区域中外延生长，使得所述硅层在所述衬底的所述第一区域中相对于所述衬底的所述第二区域较厚。存储器单元形成在所述衬底的所述第一区域中，并且逻辑设备形成在所述衬底的所述第二区域中。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括硅、直接在所述硅上方的第一绝缘层，以及直接在所述第一绝缘层上方的硅层；使硅在所述衬底的第一区域中的所述硅层上而不在所述衬底的第二区域中外延生长，使得所述硅层在所述衬底的所述第一区域中相对于所述衬底的所述第二区域较厚；在所述衬底的所述第一区域中形成存储器单元，其中所述形成所述存储器单元中的每个包括：在所述衬底的所述第一区域中的所述硅层中形成间隔开的第一源极区和第一漏极区，在其间限定沟道区，在所述沟道区的第一部分上方形成浮栅并与所述沟道区的第一部分绝缘，以及在所述沟道区的第二部分上方形成选择栅并与所述沟道区的第二部分绝缘；在所述衬底的所述第二区域中形成逻辑设备，其中所述形成所述逻辑设备中的每个包括：在所述衬底的所述第二区域中的所述硅层中形成间隔开的第二源极区和第二漏极区，以及在所述第二源极区和所述第二漏极区之间的所述硅层的一部分上方形成导电栅并与所述硅层的一部分绝缘。