[发明专利]具有大深宽比嵌入式金属线的转接板及其制造方法在审
| 申请号： | 201680058415.1 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108475659A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 方向明;伍荣翔;单建安 | 申请（专利权）人： | 深圳线易科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/00 |
| 代理公司： | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人： | 孙皓;林虹 |
| 地址： | 518031 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种具有大深宽比嵌入式金属线的转接板及其制造方法，该转接板(700)的金属线(722,724)嵌入设置在衬底(710)内，金属线的深度与宽度的比值不小于1。转接板的制造方法包括对转接板的衬底(1301)进行单面刻蚀，先刻蚀填充金属导电体的孔，然后再同时刻蚀填充金属导电体的孔(1316)和金属线的槽(1317)。在转接板衬底中嵌入大深宽比的金属线，在不增加金属线宽度的条件下，保持高的金属线布线密度，减小金属线的寄生电阻和寄生电感，提高转接板的功率传输效率和信号传输带宽，用单面工艺方法制造大深宽比嵌入式金属线和通孔，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 转接板 深宽比 嵌入式 衬底 填充金属 导电体 制造 功率传输效率 信号传输带宽 单面工艺 单面刻蚀 寄生电感 寄生电阻 嵌入设置 减小 刻蚀 通孔 嵌入 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
