[发明专利]半导体装置

摘要

层间绝缘膜(6)以比栅极绝缘膜(305)的厚度大的厚度覆盖带状栅电极(204S)，设置有带状沟槽(TS)的外侧的第1接触孔(CH1)、和带状沟槽(TS)内的第2接触孔(CH2)。在俯视时，存在在长度方向上延伸的活性带状区域(RA)以及接触带状区域(RC)。在与长度方向垂直的方向上交替反复配置有活性带状区域(RA)和接触带状区域(RC)。在活性带状区域(RA)中，源电极(5)经由第1接触孔(CH1)与源极区域(303)连接。在接触带状区域中，源电极(5)经由第2接触孔(CH2)与保护扩散层(306)连接。

主权项

一种半导体装置(901～911)，具备：第1导电类型的漂移层(2)；第2导电类型的基区(302)，设置于所述漂移层(2)上；第1导电类型的源极区域(303)，通过所述基区(302)与所述漂移层(2)隔开，设置于所述基区(302)上；多个带状沟槽(TS)，分别具有在剖视时贯通所述源极区域(303)及所述基区(302)而到达所述漂移层(2)的1对侧壁，在俯视时带状地延伸；第2导电类型的保护扩散层(306、306P)，与所述漂移层(2)相接，设置于所述带状沟槽(TS)的底部；栅极绝缘膜(305)，通过与所述带状沟槽(TS)的所述1对侧壁的每一个相邻，覆盖所述基区(302)及所述源极区域(303)；带状栅电极(204S)，具有在所述带状沟槽(TS)内隔着所述栅极绝缘膜(305)与所述基区(302)相邻的第1侧面(S1)、与所述第1侧面(S1)相反的第2侧面(S2)及连接所述第1侧面(S1)和所述第2侧面(S2)的上表面；层间绝缘膜(6)，以比所述栅极绝缘膜(305)的厚度厚的厚度覆盖所述带状栅电极(204S)的所述第2侧面(S2)及上表面的每一个，设置有在所述带状沟槽(TS)的外侧与所述源极区域(303)及所述基区(302)连接的第1接触孔(CH1)和在所述带状沟槽(TS)内与所述保护扩散层(306、306P)连接的第2接触孔(CH2)；以及源电极(5)，与所述源极区域(303)、所述基区(302)及所述保护扩散层(306、306P)连接，在俯视时，存在在长度方向上延伸的多个活性带状区域(RA)和在所述长度方向上延伸的多个接触带状区域(RC)，通过在与所述长度方向垂直的方向上交替反复配置所述活性带状区域(RA)和所述接触带状区域(RC)而设置带状图案，由所述带状栅电极(204S)划分所述活性带状区域(RA)和所述接触带状区域(RC)，在各个所述活性带状区域(RA)中，所述源电极经由所述层间绝缘膜(6)的第1接触孔(CH1)与所述源极区域(303)和所述基区(302)连接，并且，在所述带状沟槽(TS)内，所述带状栅电极(204S)的所述第1侧面(S1)隔着所述栅极绝缘膜(305)与所述基区(302)相邻，从而形成能够通过所述带状栅电极(204S)进行开关的沟道，在各个所述接触带状区域(RC)中，所述源电极经由所述层间绝缘膜(6)的第2接触孔(CH2)与所述保护扩散层(306、306P)连接。