[发明专利]局部半导体晶片削薄有效
| 申请号： | 201680059649.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108140568B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 圣菲利波·卡尔梅洛;路易吉·梅林;伊莎贝拉·帕拉;乔瓦尼·里基耶里 | 申请（专利权）人： | 威世通用半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/3105;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 周晓娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 局部削薄处理被用在半导体基底(诸如，晶片)的背面以便提高布置在晶片的前侧上或前侧内的电子装置的热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
一种用于削薄半导体基底的方法，包括：提供半导体基底，半导体基底具有前侧，至少一个电子装置被布置在前侧上或前侧中；将掩模施加于半导体基底的背面；利用选择的几何图案对掩模进行图案化；以及对半导体基底的背面进行蚀刻以将选择的几何图案从掩模转移到半导体基底的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
