[发明专利]单晶制造装置以及熔液面位置的控制方法有效
| 申请号： | 201680059722.1 | 申请日： | 2016-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN108138355B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 山田泰己;增田直树 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的熔液面位置来控制熔液面位置的控制单元；以及判断在熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过多个熔液面位置测量单元同时测量熔液面位置，从多个熔液面测量单元中选择一个采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元，在通过判断单元判断为该选择的熔液面位置测量单元中发生了测量异常的情况下，采用于熔液面位置控制的熔液面位置测量单元切换为别的熔液面位置测量单元。由此，提供一种单晶制造装置以及熔液面位置的控制方法，其即使在熔液面位置的测量中发生了测量异常的情况下，也能够稳定地进行熔液面位置的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 以及 液面 位置 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶制造装置，其是通过柴可拉斯基法从收容在坩埚内的原料熔液中拉制单晶硅的单晶制造装置，其特征在于，其具有：测量所述原料熔液的熔液面位置的至少两个以上不同的熔液面位置测量单元；基于测量的所述熔液面位置来控制所述熔液面位置的控制单元；以及判断在所述熔液面位置测量单元是否发生测量异常的判断单元，通过所述多个熔液面位置测量单元同时测量所述熔液面位置，从所述多个熔液面测量单元中选择一个采用于所述熔液面位置控制的所述熔液面位置测量单元，在通过所述判断单元判断为该选择的熔液面位置测量单元中发生了测量异常的情况下，采用于所述熔液面位置控制的所述熔液面位置测量单元切换为别的所述熔液面位置测量单元。
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