[发明专利]形成存储器阵列和逻辑器件的方法

摘要

本发明公开了一种在具有存储器区域、核心器件区域和HV器件区域的衬底上形成存储器设备的方法。所述方法包括在所有三个区域中形成一对导电层，在所有三个区域中在所述导电层上方形成绝缘层(以保护所述核心器件区域和所述HV器件区域)，以及然后在所述存储器区域中蚀刻穿过所述绝缘层和所述一对导电层以形成存储器叠堆。所述方法还包括在所述存储器叠堆上方形成绝缘层(以保护所述存储器区域)，移除所述核心器件区域和所述HV器件区域中的所述一对导电层，以及在所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成导电栅极，所述导电栅极设置在所述衬底上方并且与其绝缘。

主权项

1.一种形成存储器设备的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储器阵列区域、核心器件区域和HV器件区域；在所述存储器阵列区域、所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成在所述衬底上方且与所述衬底绝缘的第一导电层；在所述存储器阵列区域、所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成在所述第一导电层上方且与所述第一导电层绝缘的第二导电层；在所述存储器阵列区域、所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成在所述第二导电层上方的第一绝缘层；在所述存储器阵列区域中蚀刻穿过所述第一绝缘层以及所述第一导电层和所述第二导电层的部分以形成成对的叠堆，其中所述叠堆中的每个叠堆包括在所述第一导电层的块上方并且与其绝缘的所述第二导电层的块；在所述衬底中形成源极区，其中所述源极区中的每个源极区设置在所述成对的叠堆之一的所述叠堆之间；在所述存储器阵列区域、所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成第三导电层；将所述第三导电层从所述核心器件区域和所述HV器件区域移除；在所述存储器阵列区域中形成在所述第三导电层上方，并且在所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成在所述第一绝缘层上方的第二绝缘层；从所述核心器件区域和所述HV器件区域移除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以及所述第一导电层和所述第二导电层；在所述核心器件区域和所述HV器件区域中形成导电栅极，所述导电栅极设置在所述衬底上方并且与其绝缘；移除所述存储器阵列区域中的所述第二绝缘层；移除所述第三导电层的部分以形成与所述成对的叠堆相邻并且与其绝缘的所述第三导电层的块；在所述存储器阵列区域中在邻近所述第三导电层的所述块的所述衬底中形成漏极区；以及在所述核心器件区域和所述HV器件区域中在邻近所述导电栅极的所述衬底中形成第二源极区和第二漏极区。