[发明专利]共形且间隙填充非晶硅薄膜的沉积有效
| 申请号： | 201680060335.X | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108140562B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈一宏;程睿;P·曼纳;K·陈;K·杰纳基拉曼;A·B·玛里克;S·冈迪科塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于沉积膜的方法，包括将基材表面循环暴露至前体与除气环境，以移除从膜释出的气体。一些实施例进一步包括：并入毒化特征的顶部，以抑制特征的顶部处的膜生长。一些实施例进一步包括：在循环之间蚀刻在特征的顶部沉积的该膜的一部分，以增加间隙填充均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 填充 非晶硅 薄膜 沉积 | ||
【主权项】：
一种处理方法，包括下述步骤：将基材表面暴露至前体，以形成非晶硅膜，所述非晶硅膜具有可脱气的物种，所述可脱气的物种包括氢；以及将所述非晶硅膜暴露至惰性除气环境，以从所述非晶硅膜移除所述可脱气的物种，而形成经除气的非晶硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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