[发明专利]缺陷区域的判定方法有效
| 申请号： | 201680060750.5 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108140593B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 富井和弥;菊地博康 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域的缺陷区域的判定方法，包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使其表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数及/或缺陷密度分布；以及(3)自该测定的缺陷数及/或缺陷密度分布，判定该硅晶圆的缺陷区域。由此提供将自通过CZ法制造的硅单晶所切出的硅晶圆的缺陷区域予以短时间且非破坏检查的判定方法。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 区域 判定 方法 | ||
【主权项】：
一种缺陷区域的判定方法，判定自CZ法所制造的单晶硅所切出的硅晶圆的缺陷区域，该缺陷区域的判定方法包含下列步骤：(1)镜面加工该硅晶圆，使该硅晶圆的表面的雾度等级在通过使用波长266nm的激光的微粒计数器的雾度测定中为0.06ppm以下；(2)使用得以进行15nm以下尺寸的缺陷测定的微粒计数器，而测定该镜面加工后的硅晶圆表面的缺陷数以及缺陷密度分布的其中一者或两者；以及(3)自该测定的缺陷数以及缺陷密度分布的其中一者或两者，判定该硅晶圆的缺陷区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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