[发明专利]低对比度的基于氮化硅的超颖表面有效

专利信息
申请号: 201680060823.0 申请日: 2016-09-08
公开(公告)号: CN108139519B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: A·詹;S·科尔伯恩;A·马宗达 申请(专利权)人: 华盛顿大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02F1/01;H01Q15/14
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;李科
地址: 美国华*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开了由多个柱形成在衬底上的超颖表面。该超颖表面被配置为在一个或多个波长处为光学活性的,并且在某些实施例中被配置为形成具有出乎意料的强聚焦能力的透镜。特别地,超颖表面由“低对比度”材料形成,包括诸如二氧化硅或氮化硅的CMOS兼容材料。因此,所公开的超颖表面通常是CMOS兼容的,并因此体现了超颖表面设计和制造中的新范例。
搜索关键词: 对比度 基于 氮化 表面
【主权项】:
一种在第一波长处具有光学活性的低对比度超颖表面,包括:多个圆柱形柱,其由第一材料形成并以方形图案布置在衬底上,其中所述多个圆柱形柱由具有2.1或更小的第一折射率的材料形成;所述多个圆柱形柱中的各个柱之间的间隙,所述间隙包括间质,所述间质具有比所述第一折射率小0.6‑1.1的第二折射率;其中所述多个圆柱形柱中的各个柱具有在所述第一波长的1/8至所述第一波长的2/3的范围内的直径;其中所述多个圆柱形柱具有在所述第一波长的0.4倍到所述第一波长的1.0倍的范围内的周期;以及其中所述多个圆柱形柱具有在所述第一波长的0.5倍到所述第一波长的1.0倍的范围内的厚度。
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