[发明专利]一种在玻璃上低温直接生长石墨烯的技术在审
申请号: | 201680061109.3 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN108137327A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 维贾延·S·维拉萨米 | 申请(专利权)人: | 佳殿玻璃有限公司 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186;C01B32/194 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;沈敬亭 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 示例性实施例涉及一种在玻璃上低温直接生长石墨烯的方法和/或相关的制品/器件。在示例性实施例中,玻璃基板具有形成在其上的含有镍的层。通过注入氦使含有镍的层具有预工程应力。在此也可以通过退火和/或类似方式进行预处理。采用远程等离子体辅助化学气相沉积技术在含镍薄膜上下都形成石墨烯。该含镍薄膜和顶部石墨烯可通过胶带和/或类似物除去,将石墨烯留在基板上。选择性地,含硅层可以形成在含镍层和基板之间。在此还设想包括该制品的产品和/或制备该制品的方法。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 直接生长 镍薄膜 基板 预处理 远程等离子体 退火 玻璃 玻璃基板 辅助化学 类似方式 气相沉积 含硅层 含镍层 类似物 胶带 制备 | ||
【主权项】:
一种制备包括由玻璃基板支撑的含石墨烯薄膜的涂层制品的方法,所述方法包括:在基板上形成含有硅的层;在所述含有硅的层上形成含有镍的层;通过含有氦离子的离子注入和退火对所述含有镍的层进行工程应力;所述工程应力后,通过等离子体相关化学气相沉积在所述含有镍的层的两个主要表面生长石墨烯;以及在制备所述含石墨烯薄膜中,机械去除所述含有镍的层和与所述基板相对的所述含有镍的层的所述主要表面上的所述石墨烯,随着所述机械去除,最初形成在所述含有硅的层和所述含有镍的层的界面上的所述石墨烯的至少部分留在所述含有硅的层上的所述基板上。
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