[发明专利]高功率分布式放大器单片微波集成电路MMIC芯片的芯片外分布式漏极偏置

摘要

芯片外分布式漏极偏置增加了高功率分布式放大器MMIC的输出功率和效率。芯片外偏置电路具有用于接收DC偏置电流的公共输入端以及多个并联连接的偏置扼流器，其中DC偏置电流在所述多个并联连接的偏置扼流器之间被划分。扼流器连接到不同的FET放大器级处的相同多个的漏极端子，以在沿着输出传输线的不同位置处提供DC偏置电流。芯片外分布式漏极偏置增加了可供放大器使用的DC偏置电流的水平，并将电感添加到所选的FET放大器级(通常是较早的级)，以修改在漏极端子处看到的负载阻抗，从而更好地匹配放大器级来改进功率和效率。

主权项

1.一种分布式放大器，包括：分布式放大器单片微波集成电路(MMIC)芯片，所述芯片包括：被配置为接收沿输入传输线向下传播的RF信号的RF输入端，多个并联连接的FET放大器级，以及连接FET放大器级的漏极端子的输出传输线，所述FET放大器级在最后一个FET放大器级的RF输出端处产生在带宽上的放大的RF信号；芯片外偏置电路，包括用于接收来自DC电源的DC偏置电流的公共输入端以及多个并联连接的偏置扼流器，在所述多个并联连接的偏置扼流器之间所述DC偏置电流被划分，每个偏置扼流器包括连接到接地的电容器C的串联电感器L，所述串联电感器L具有足够的阻抗以在整个带宽上阻隔RF能量到达所述公共输入端；以及多个连接，将所述多个串联电感器L并联地电连接和物理连接到在不同的FET放大器级处的相同多个的漏极端子，以在沿着所述输出传输线的不同位置处供给DC偏置电流。