[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件和半导体元件用外延基板的制造方法有效
| 申请号： | 201680061168.0 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108352306B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 市村干也;前原宗太;仓冈义孝 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人： | 郑雪娜;陈东升 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制电流崩塌的发生的半导体元件用外延基板。半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，其含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，其与上述自立基板相邻；沟道层，其与上述缓冲层相邻；以及势垒层，其隔着上述沟道层而设置于上述缓冲层的相反侧，上述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从上述自立基板向上述沟道层扩散的扩散抑制层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件用外延基板，其特征在于，所述半导体元件用外延基板包括：半绝缘性的自立基板，所述自立基板含有掺杂有Zn的GaN；缓冲层，所述缓冲层与所述自立基板相邻；沟道层，所述沟道层与所述缓冲层相邻；以及势垒层，所述势垒层隔着所述沟道层而设置于所述缓冲层的相反侧，所述缓冲层是含有掺杂有Al的GaN、且抑制Zn从所述自立基板向所述沟道层扩散的扩散抑制层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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