[发明专利]第1保护膜形成用片有效
| 申请号： | 201680061240.X | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN108140585B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 山岸正宪;佐藤明德 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B32B27/00;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的第1保护膜形成用片是在第1基材上层叠第1粘合剂层、并在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的，上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面上并通过进行固化而在上述表面上形成第1保护膜的层，在上述第1粘合剂层上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的上述第1粘合剂层及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊锡SAC305的镜面抛光面上层压上述固化性树脂层并进行固化处理后的无铅焊锡SAC305的镜面抛光面及上述固化性树脂层之间的层间剥离力(2)，且上述层间剥离力(1)为2.0～100N/25mm。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 | ||
【主权项】：
一种第1保护膜形成用片，其在第1基材上层叠第1粘合剂层、并在所述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成，所述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面上并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜的层，在所述第1粘合剂层上层压所述固化性树脂层并进行固化处理后的所述第1粘合剂层及所述固化性树脂层之间的层间剥离力(1)大于在无铅焊锡SAC305的镜面抛光面上层压所述固化性树脂层并进行固化处理后的无铅焊锡SAC305的镜面抛光面及所述固化性树脂层之间的层间剥离力(2)，且所述层间剥离力(1)为2.0～100N/25mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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