[发明专利]用于原子精度蚀刻的独立控制等离子体密度、自由基组成及离子能量的低电子温度蚀刻腔室在审
| 申请号： | 201680061298.4 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108140575A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | L·多尔夫;K·S·柯林斯;S·拉乌夫;K·拉马斯瓦米;J·D·卡达希;H·塔瓦索里;O·瑞吉尔曼;Y·张 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/67;H05H1/46 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开关于操作等离子体反应器的方法，该等离子体反应器具有电子束等离子体源以独立调整电子束密度、等离子体离子能量及自由基总数。本公开进一步关于用于等离子体反应器的电子束源，该等离子体反应器具有RF驱动电极以产生电子束。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体反应器 电子束 自由基 等离子体 电子束等离子体 蚀刻 等离子体离子 电子束源 独立调整 独立控制 离子能量 蚀刻腔室 电极 | ||
【主权项】：
一种在处理腔室中处理工件的方法，包括以下步骤：通过使用平行于所述工件的表面的片状电子束在所述处理腔室中产生等离子体，来限制等离子体电子温度；通过控制耦合至工件支撑件的偏压功率的级别，来控制相对于所述等离子体的工件电位至介于0及25伏特之间的范围；及通过控制供给所述处理腔室的远程等离子体源的生产率，来独立地控制所述等离子体中的自由基总数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
