[发明专利]用于半导体晶片检验的成像性能优化方法有效
| 申请号： | 201680061551.6 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108140594B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | J·内斯比特;J·奈特;T·鲁辛;V·帕尔辛;S·卢妮亚;K·莱;M·穆鲁加;M·贝利 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示检验系统及用于调整/优化所述检验系统的成像性能的方法。检验系统可包含：光学组件，其经配置以将检验光传送到受验体；及检测器，其经配置以至少部分基于传送到所述受验体的所述检验光而获得所述受验体的图像。所述检验系统还可包含与所述光学组件及所述检测器通信的处理器。所述处理器可经配置以：基于由所述检测器获得所述受验体的所述图像而测量所述光学组件的像差；及调整所述光学组件以补偿所述像差的变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 检验 成像 性能 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种检验系统，其包括：光学组件，其经配置以将检验光传送到受验体；检测器，其经配置以至少部分基于传送到所述受验体的所述检验光而获得所述受验体的图像；及处理器，其与所述光学组件及所述检测器通信，所述处理器经配置以：基于由所述检测器获得的所述受验体的所述图像而测量所述光学组件的像差；及调整所述光学组件以补偿所述像差的变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680061551.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
