[发明专利]大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法有效
| 申请号： | 201680061638.3 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108475523B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 江安全;耿文平 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;郑冀之 |
| 地址： | 20000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法，属于铁电存储技术领域。该非破坏大电流读出铁电单晶薄膜存储器采用的铁电薄膜层(105)为铁电单晶薄膜层，在开态下的读电流大大增加，并且，数据保持特性和数据持久特性得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 读出 铁电单晶 薄膜 存储器 及其 制备 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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