[发明专利]单晶硅的制造方法及单晶硅有效
| 申请号： | 201680061735.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108291327B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 横山龙介;藤原俊幸 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提出一种能够抑制晶体提拉方向上的氧浓度的变动的单晶硅的制造方法。一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚(12)的硅熔液(13)中浸渍籽晶(17)，且在沿与该籽晶(17)的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使坩埚(12)旋转，并且使籽晶(17)旋转并进行提拉，由此使单晶硅(16)在籽晶(17)上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在硅熔液(13)至少在固液界面下相对于包含籽晶(17)的提拉轴且在与施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行籽晶(17)的提拉。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的制造方法，在填充于坩埚的硅熔液中浸渍籽晶，且在沿与该籽晶的提拉方向垂直的方向施加磁场的状态下，使所述坩埚旋转，并且使所述籽晶旋转并进行提拉，由此使单晶硅在所述籽晶上生长，该单晶硅的制造方法的特征在于，在所述硅熔液至少在固液界面下相对于包含所述籽晶的提拉轴且在与所述施加磁场的方向平行的面从一侧向另一侧流动的状态下进行所述籽晶的提拉。
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