[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
申请号: | 201680062692.X | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN108351593B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 西田登喜雄;坂本力丸 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;C08F220/24;C08F220/26;C08F220/36;C08F220/38 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 孙丽梅;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂、和包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是包含具有下述式(1)~式(3)所示的结构单元的共聚物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包含:上述添加剂、与上述共聚物不同的树脂、有机酸、交联剂和溶剂,上述共聚物的含量相对于上述树脂100质量份为3质量份~40质量份。(式中,R |
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搜索关键词: | 抗蚀剂 下层 形成 组合 添加剂 包含 | ||
【主权项】:
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂,其包含具有下述式(1)~式(3)所示的结构单元的共聚物,式中,R1各自独立地表示氢原子或甲基,R2表示碳原子数1~3的亚烷基,A表示保护基,R3表示具有4元环~7元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基团,R4表示至少1个氢原子被氟基取代、且进一步可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1~12的直链状、支链状或环状的有机基团。
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