[发明专利]气隙可调节的电子束装置在审
| 申请号： | 201680062752.8 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN108474105A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 伊姆迪亚兹·J·朗沃拉;瑞驰·阿莱克西;爱德华·马圭尔 | 申请（专利权）人： | 能量科学有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30 |
| 代理公司： | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人： | 杨永波;孙晓斌 |
| 地址： | 美国马萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于处理基底的电子束处理装置。所述装置具有置于室内的电子束生成组件，所述室包括用于加热产生数个电子的丝极。所述装置也可具有箔支撑组件，其设置为引导所述数个电子穿过薄金属箔、离开所述室。所述装置可进一步具有处理组件，其设置为传递所述基底经过所述薄金属箔，从而所述数个电子穿入所述基底，引发化学反应。所述薄金属箔与所述基底之间的气隙距离可以是可调节的。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 薄金属箔 可调节 电子束 电子束处理装置 化学反应 电子束装置 处理组件 气隙距离 生成组件 支撑组件 穿入 气隙 丝极 加热 穿过 室内 传递 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理基底的电子束处理装置，其特征在于包括：电子束生成组件，其置于室内，所述室包括用于加热生成数个电子的丝极；箔支撑组件，其设置为引导所述数个电子穿过薄金属箔、离开所述室；处理组件，其设置为传递所述基底经过所述薄金属箔，以使所述数个电子穿入所述基底，在基底上引发化学反应；以及气隙，其位于所述薄金属箔与所述基底之间，其中，所述气隙的距离可调节。
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