[发明专利]半导体用粘接剂、半导体装置以及制造该半导体装置的方法有效

专利信息
申请号: 201680062779.7 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN108352333B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 本田一尊;茶花幸一;小野敬司;永井朗 申请(专利权)人: 昭和电工材料株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;C09J11/06;C09J201/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种制造半导体装置的方法,半导体装置具备:半导体芯片;基板及/或另外的半导体芯片;以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序:通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上;通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。
搜索关键词: 半导体 用粘接剂 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,所述半导体装置具备:半导体芯片;基板及/或另外的半导体芯片;以及介于它们之间的粘接剂层,所述半导体芯片、所述基板、以及所述另外的半导体芯片各自具有带有由金属材料形成的表面的连接部,所述半导体芯片的连接部与所述基板及/或所述另外的半导体芯片的连接部通过金属接合而电连接,所述方法依次具备下述工序:通过将层叠体用相向的一对暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将所述基板、所述另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在所述半导体芯片上,所述层叠体具有:所述半导体芯片;所述基板、所述另外的半导体芯片或含有相当于所述另外的半导体芯片的部分的所述半导体晶片;以及配置在它们之间的所述粘接剂层,所述半导体芯片的连接部与所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部相向配置,通过将所述层叠体用不同于所述暂时压接用按压构件的另外准备的相向的一对正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将所述半导体芯片的连接部与所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部通过金属接合来进行电连接,其中,所述一对暂时压接用按压构件中的至少一个在对所述层叠体进行加热以及加压时,被加热到比形成所述半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点、以及形成所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点低的温度,所述一对正式压接用按压构件中的至少一个在对所述层叠体进行加热以及加压时,被加热到形成所述半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点、或者形成所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点中的至少任一个的熔点以上的温度。
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