[发明专利]半导体用粘接剂、半导体装置以及制造该半导体装置的方法有效
申请号: | 201680062779.7 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN108352333B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 本田一尊;茶花幸一;小野敬司;永井朗 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C09J11/06;C09J201/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 白丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种制造半导体装置的方法,半导体装置具备:半导体芯片;基板及/或另外的半导体芯片;以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序:通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上;通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 用粘接剂 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,所述半导体装置具备:半导体芯片;基板及/或另外的半导体芯片;以及介于它们之间的粘接剂层,所述半导体芯片、所述基板、以及所述另外的半导体芯片各自具有带有由金属材料形成的表面的连接部,所述半导体芯片的连接部与所述基板及/或所述另外的半导体芯片的连接部通过金属接合而电连接,所述方法依次具备下述工序:通过将层叠体用相向的一对暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将所述基板、所述另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在所述半导体芯片上,所述层叠体具有:所述半导体芯片;所述基板、所述另外的半导体芯片或含有相当于所述另外的半导体芯片的部分的所述半导体晶片;以及配置在它们之间的所述粘接剂层,所述半导体芯片的连接部与所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部相向配置,通过将所述层叠体用不同于所述暂时压接用按压构件的另外准备的相向的一对正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将所述半导体芯片的连接部与所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部通过金属接合来进行电连接,其中,所述一对暂时压接用按压构件中的至少一个在对所述层叠体进行加热以及加压时,被加热到比形成所述半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点、以及形成所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点低的温度,所述一对正式压接用按压构件中的至少一个在对所述层叠体进行加热以及加压时,被加热到形成所述半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点、或者形成所述基板或所述另外的半导体芯片的连接部的表面的金属材料的熔点中的至少任一个的熔点以上的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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