[发明专利]低温渗碳处理方法及渗碳处理装置有效
| 申请号： | 201680063608.6 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108350559B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 金准浩;金圭植;郑又沧;朴寅旭 | 申请（专利权）人： | 韩国生产技术研究院 |
| 主分类号： | C23C8/20 | 分类号： | C23C8/20;C23C8/22;C23C8/02;C23C8/80;C23G1/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温渗碳处理方法及渗碳处理装置。本发明的低温渗碳处理方法包括对对象金属执行前处理的(a)步骤、将所述对象金属投入到反应腔并升温到设定温度的(b)步骤、将所述反应腔形成为真空氛围并注入反应气体至预先设定的压力以加速渗碳的(c)步骤、向所述反应腔供应反应气体至所述(c)步骤的反应气体的压力以下扩散渗碳的(d)步骤及按预先设定的时间间隔反复执行所述(c)步骤及所述(d)步骤的(e)步骤。根据本发明，在低温氛围下也能够形成渗碳层。并且，能够提高渗碳能力及均质化，减少碳簇的发生的同时，可省略后处理过程。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 渗碳 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种低温渗碳处理方法，包括：对对象金属执行前处理的(a)步骤；将所述对象金属投入到反应腔并升温到设定温度的(b)步骤；将所述反应腔形成为真空氛围并注入反应气体至预先设定的压力以加速渗碳的(c)步骤；向所述反应腔供应反应气体至所述(c)步骤的反应气体的压力以下以扩散渗碳的(d)步骤；以及按预先设定的时间间隔反复执行所述(c)步骤及所述(d)步骤的(e)步骤。
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