[发明专利]包封的纳米结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201680063745.X | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108352400B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 凯文·S·琼斯;克里斯多夫·哈特姆;威廉·M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 佛罗里达大学研究基金会有限公司;瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;王天鹏 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包括硅纳米线和包封的硅纳米岛的各种纳米结构以及制作所述纳米结构的方法。该方法可以包括提供在衬底上方延伸的鳍结构，其中，所述鳍结构具有限定了该鳍结构的侧壁的至少一个硅层和至少两个硅锗合金(SiGe)层；以及在氧气中对所述鳍结构进行退火以形成硅纳米线组件。所述硅纳米线组件可以包括硅纳米线、包围硅纳米线的SiGe基质；以及设置在SiGe基质上的氧化硅层。退火可以是例如在800℃与1000℃之间温度进行五分钟至六十分钟。所述硅纳米线可以具有沿鳍轴延伸的长轴，和沿垂直于鳍轴的方向延伸小于50nm的垂直的第一尺寸和第二尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成纳米线的方法，所述方法包括：提供在衬底的衬底平面上方延伸的鳍结构，其中，所述鳍结构包括至少三个层，其中，所述鳍结构包括至少一个硅层和至少两个硅锗合金(SiGe)层，其中，所述至少一个硅层和所述至少两个SiGe层限定所述鳍结构的侧壁；以及在氧气环境中对所述鳍结构进行退火，其中，形成了硅纳米线组件，其中，所述硅纳米线组件包括：从所述至少一个硅层形成的硅纳米线，包围所述硅纳米线的SiGe基质；以及设置在所述SiGe基质上的氧化硅层。
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