[发明专利]STT-RAM结构的离子束蚀刻有效
| 申请号： | 201680063999.1 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108352444B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 阿吉特·帕兰杰佩;鲍里斯·德鲁兹;卡特里娜·罗克;纳拉辛汗·斯里尼瓦山 | 申请（专利权）人： | 威科仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 | 代理人： | 卓霖;许向彤 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了用于改善自旋转移矩随机存取存储器(STT‑RAM)结构的蚀刻的各种方法。在一个示例中，该方法包括(1)以接近法向入射正好通过MTJ的堆叠的离子束蚀刻，(2)在窗口化模式中以较大角度的短清理蚀刻以去除沿着从MTJ的正好下方延伸到MTJ的正好上方的侧壁的任何再沉积的材料，(3)沉积具有受控台阶覆盖的密封剂，以从由蚀刻步骤产生的锥形轮廓恢复到垂直或稍微凹入的轮廓，(4)在保持沿MTJ的侧壁的封装的同时，以接近法向入射对堆叠的其余部分进行离子束蚀刻，(5)以更大的角度和窗口模式进行清理蚀刻以从侧壁去除再沉积的材料，以及(6)对经蚀刻的堆叠的封装。 | ||
| 搜索关键词： | stt ram 结构 离子束 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁隧道结(MTJ)器件的方法，包括：(a)提供包括MTJ堆叠的初始结构；(b)以接近法向的入射角进行蚀刻来蚀刻所述结构，恰好通过所述MTJ堆叠；(c)执行清理蚀刻以从所述MTJ堆叠的侧壁去除再沉积的材料；(d)在清理后的蚀刻的侧壁上方沉积封装层；(e)以接近法向的入射角蚀刻所述结构的其余部分，同时确保所述MTJ堆叠的侧壁上的封装层至少部分地被保留；以及(f)执行清理蚀刻以从所述MTJ堆叠的侧壁去除大部分再沉积的材料。
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