[发明专利]用于制造隔膜组件的方法有效
申请号: | 201680064044.8 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN108351586B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | Z·S·豪厄林;E·W·F·卡西米里;T·朱兹海妮娜;保罗·詹森;M·A·J·库伊肯;M·H·A·里恩德尔斯;S·奥斯特霍夫;玛丽亚·皮特;威廉·琼·范德赞德;彼得-詹·范兹沃勒;B·L·M-J·K·韦伯罗根;J·P·M·B·沃缪伦;D·F·弗莱斯;W-P·福尔蒂森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层,其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区;将所述叠层定位于支撑件上,使得曝光所述平坦衬底的所述内部区;和使用非液体蚀刻剂来选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区,使得所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;和保持所述隔膜的边框,所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 隔膜 组件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层,其中所述平坦衬底包括内部区、围绕所述内部区的边框区、围绕所述边框区的桥接区以及围绕所述桥接区的边缘区;邻近于所述平坦衬底的所述桥接区形成穿过所述至少一个隔膜层的桥接凹槽;选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区和所述桥接区,使得所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;保持所述隔膜的边框,所述边框由所述平坦衬底的所述边框区形成;围绕所述边框的边缘区段,所述边缘区段由所述平坦衬底的所述边缘区形成;和在所述边框与所述边缘区段之间的桥接件,所述桥接件由所述至少一个隔膜层形成;以及将所述边缘区段与所述边框分离开使得邻近于所述边缘区段的所述至少一个隔膜层通过所述桥接凹槽与所述隔膜分离开。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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