[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201680064132.8 | 申请日： | 2016-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN108369954B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 徐挽杰;蔡皓程;张臣雄 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，该隧穿场效应晶体管包括衬底(10)；设置于衬底(10)上的源区(20)和漏区(30)，源区(20)与漏区(30)之间的区域为沟道(40)，源区(20)与沟道(40)之间形成口袋型区(50)，源区(20)和口袋型区(50)均包含第一类掺杂物，漏区(30)包含第二类掺杂物；栅堆叠层(60)，栅堆叠层(60)设置于源区(20)、口袋型区(50)以及沟道(40)上；侧壁(70)，侧壁(70)设置于栅堆叠层(60)的两侧。该隧穿场效应晶体管，能够减小隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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