[发明专利]具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种存储器器件，包括硅衬底，该硅衬底具有在存储器单元区域中的平面的上表面，以及在逻辑器件区域中的向上延伸的硅鳍。硅鳍包括向上延伸且终止于顶表面处的侧表面。逻辑器件包括间隔开的源极区和漏极区，其中沟道区(沿顶表面和侧表面)在源极区和漏极区之间延伸；以及设置在顶表面之上且横向设置为与侧表面相邻的导电逻辑门。存储器单元包括间隔开的源极区和漏极区，其中第二沟道区在源极区和漏极区之间延伸；设置在第二沟道区的一个部分之上的导电浮置栅极；设置在第二沟道区的另一部分之上的导电字线栅极；设置在浮置栅极之上的导电控制栅极；以及设置在源极区之上的导电擦除栅极。

主权项

1.一种存储器器件，包括：具有上表面的硅衬底，其中：所述上表面在所述硅衬底的存储器单元区域中为平面的，所述上表面包括在所述硅衬底的逻辑器件区域中向上延伸的硅鳍，并且所述硅鳍包括一对侧表面，所述一对侧表面向上延伸且终止在顶表面处；在所述逻辑器件区域中的逻辑器件，包括：间隔开的第一源极区和第一漏极区，所述间隔开的第一源极区和第一漏极区形成在所述硅衬底中，其中所述硅衬底的第一沟道区在所述第一源极区和所述第一漏极区之间延伸，其中所述第一沟道区沿所述顶表面和所述一对侧表面延伸，以及导电逻辑门，所述导电逻辑门设置在所述顶表面之上且与所述顶表面绝缘，并且横向设置为与所述一对侧表面相邻且与所述一对侧表面绝缘；在所述存储器单元区域中的存储器单元，包括：间隔开的第二源极区和第二漏极区，所述间隔开的第二源极区和第二漏极区形成在所述硅衬底中，其中所述硅衬底的第二沟道区在所述第二源极区和第二漏极区之间延伸，导电浮置栅极，所述导电浮置栅极设置在与所述第二源极区相邻的所述第二沟道区的第一部分之上且与所述第二沟道区的所述第一部分绝缘，导电字线栅极，所述导电字线栅极设置在与所述第二漏极区相邻的所述第二沟道区的第二部分之上且与所述第二沟道区的所述第二部分绝缘，导电控制栅极，所述导电控制栅极设置在所述浮置栅极之上且与所述浮置栅极绝缘，以及导电擦除栅极，所述导电擦除栅极设置在所述第二源极区之上且与所述第二源极区绝缘。