[发明专利]倾斜光电探测器单元在审
| 申请号： | 201680064465.0 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108352422A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 河原秀明;亨利·利茨曼·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在所描述实例中，一种光电探测器单元(100)包含具有半导体表面层(110)的衬底(105)，和所述半导体表面层(110)中的沟槽(115)。所述沟槽(115)具有包含第一倾斜侧壁(115a)和第二倾斜侧壁(115b)的倾斜侧壁。pn结、PIN结构或光电晶体管包含有源p区和有源n区(122)，其形成包含沿所述第一倾斜侧壁(115a)提供第一光电探测器元件(120a)的第一结和沿所述第二倾斜侧壁(115b)提供第二光电探测器元件(120b)的与所述第一结间隔开的第二结的结。至少p型阳极触点(110a)和至少n型阴极触点(122a、122b)与所述第一光电探测器元件(120a)和第二光电探测器元件(120b)的所述有源p区和有源n区(122)接触。所述倾斜侧壁(115a、115b)提供外部暴露或光学透明表面，用于将入射光传递到所述第一光电探测器元件(120a)和第二光电探测器元件(120b)以探测入射光。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器元件 倾斜侧壁 光电探测器单元 半导体表面层 入射光 光学透明表面 阳极 光电晶体 阴极触点 衬底 触点 探测 暴露 传递 外部 | ||
【主权项】：
1.一种形成光电探测器单元的方法，所述方法包括：蚀刻以在衬底上具有平坦顶部表面的半导体表面层中形成至少一个沟槽，所述沟槽具有相对于所述顶部表面的表面法线的倾斜侧壁，其包含第一倾斜侧壁和第二倾斜侧壁；形成包含有源p区和有源n区的pn结、PIN结构或光电晶体管，所述有源n区形成包含沿所述第一倾斜侧壁提供第一光电探测器元件的第一结和沿所述第二倾斜侧壁提供第二光电探测器元件的与所述第一结间隔开的第二结；及形成与所述第一光电探测器元件和所述第二光电探测器元件的所述有源p区和所述有源n区接触的至少p型阳极触点和至少n型阴极触点；其中所述第一倾斜侧壁和所述第二倾斜侧壁提供外部暴露或光学透明表面，用于将入射光传递到所述第一光电探测器元件和所述第二光电探测器元件以探测所述入射光。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
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