[发明专利]发光元件及其制造方法以及发光方法有效
申请号: | 201680065166.9 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108352455B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 塚本优人;菊池克浩;川户伸一;二星学;小池英士;伊藤麻绘 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 有机EL元件(10)具有:第一发光层(33a),其在发光层(33)中发光峰值波长最短、且含有主体材料和TTF材料中的至少TTF材料;第二发光层(33b),其至少含有TADF材料;和第三发光层(33c),其在发光层(33)中发光峰值波长最长、且至少含有荧光材料,TTF材料的激发三重态能级低于TADF材料的激发三重态能级。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 及其 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,在该发光元件中,由第一电极和第二电极夹持至少包含第一发光层、第二发光层和第三发光层的功能层,所述发光元件的特征在于:所述第一发光层在所述发光层中发光峰值波长最短,且含有主体材料和TTF材料中的至少所述TTF材料,该TTF材料为与该主体材料协同地或者单独地产生TTF现象的延迟荧光材料,所述第二发光层与所述第一发光层相邻地叠层在所述第一发光层与所述第三发光层之间,且至少含有热活化延迟荧光材料,所述第三发光层在所述发光层中发光峰值波长最长,且至少含有荧光材料,所述第一发光层中含有的所述主体材料和TTF材料中的至少一者的激发三重态能级低于所述第二发光层中含有的所述热活化延迟荧光材料的激发三重态能级。
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