[发明专利]半导体晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680065719.0 | 申请日： | 2016-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN108474138B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;久津间保德;芦田晃嗣 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在第1工序中，在SiC基板(40)的表面形成凸部(42)并蚀刻该SiC基板(40)。在第2工序中，除去根据MSE法使SiC基板(40)的凸部(42)外延生长而在垂直(c轴)方向大幅地生长的包含螺旋位错的外延层(43a)的至少一部分。在第3工序中，通过在进行了第2工序的SiC基板(40)上再次进行MSE法，使得不包含螺旋位错的外延层(43)彼此在水平(a轴)方向生长而互相以分子层级连接，进而在SiC基板(40)的Si面或C面的全面生成1个大面积的单晶4H‑SiC的半导体晶圆(45)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆的制造方法，其特征在于包含：第1工序，在所述第1工序中，通过在SiC基板的表面形成凸部，并在Si蒸气压力下加热该SiC基板，对该SiC基板进行蚀刻；第2工序，在所述第2工序中，通过一边在进行了所述第1工序的所述SiC基板的所述凸部侧配置碳供给部件，一边使Si熔液夹在其间且进行加热，根据亚稳态溶剂外延法使所述SiC基板的所述凸部外延生长而形成外延层，通过进行该外延生长，使包含螺旋位错的外延层在垂直(c轴)方向上比不包含螺旋位错的外延层大幅地生长，然后除去包含该螺旋位错的外延层的至少一部分；和第3工序，在所述第3工序中，通过在进行了所述第2工序的所述SiC基板上再次进行所述亚稳态溶剂外延法，使得不包含螺旋位错的外延层彼此在水平(a轴)方向生长而互相以分子层级连接，进而在所述SiC基板的表面即Si面(0001面)或C面(000‑1面)生成至少1个大面积的单晶4H‑SiC的半导体晶圆。
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