[发明专利]多位非易失性随机存取存储器单元有效
| 申请号： | 201680066177.9 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN108463851B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | J.坦定甘;J.艾伦;D.斯蒂尔;J.阿肖克库马尔 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了多位非易失性随机存取存储器单元。该多位非易失性随机存取存储器单元可以包括易失性存储元件和非易失性存储电路。该非易失性存储电路可以包括连接到易失性存储元件的数据真值(DT)节点的至少一个第一通路晶体管和连接到易失性存储元件的数据补码(DC)节点的至少一个第二通路晶体管。该非易失性存储电路还可以包括多个非易失性存储元件。每个非易失性存储元件可以被配置为选择性地可经由该至少一个第一通路晶体管连接到易失性存储元件的DT节点，并且选择性地可经由该至少一个第二通路晶体管连接到易失性存储元件的DC节点，允许多位非易失性随机存取存储器单元每单元存储/调回多于一个数据位。 | ||
| 搜索关键词： | 易失性存储元件 非易失性随机存取存储器 通路晶体管 多位 非易失性存储电路 非易失性存储元件 单元存储 补码 配置 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储装置，包括：易失性存储元件，所述易失性存储元件包括数据真值(DT)节点和数据补码(DC)节点；以及非易失性存储电路，所述非易失性存储电路包括连接到所述易失性存储元件的DT节点的至少一个第一通路晶体管和连接到所述易失性存储元件的DC节点的至少一个第二通路晶体管，所述非易失性存储电路还包括多个非易失性存储元件，所述多个非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件被配置为选择性地可经由所述至少一个第一通路晶体管连接到所述易失性存储元件的DT节点，并且选择性地可经由所述至少一个第二通路晶体管连接到所述易失性存储元件的DC节点，所述非易失性存储电路还包括桥式晶体管，连接到所述多个非易失性存储元件中的两个非易失性存储元件，所述桥式晶体管被配置为选择性地将所述两个非易失性存储元件中的一个经由所述至少一个第一通路晶体管连接到所述易失性存储元件的DT节点，并经由所述至少一个第二通路晶体管连接到所述易失性存储元件的DC节点。
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