[发明专利]半导体装置和投影型显示装置有效
| 申请号： | 201680066298.3 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108292606B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 阿部一树;稻毛信弥;小田信彦;甲斐田昌宏;名仓护益 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G03B21/00;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本公开的一个实施例的半导体装置设置有：第一基板；TFT元件，设置在第一基板上，第一层间绝缘层介于第一基板与TFT元件之间，TFT元件包括半导体层和设置在半导体层上的栅极电极，栅极绝缘层介于半导体层与栅极电极之间；以及第二基板，设置为朝向第一基板，其中，栅极电极自半导体层一侧依次具有第一导电膜和具有遮光性的第二导电膜，并且第二导电膜从半导体层被设置为介于其间的一对开口的侧部延伸至底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 投影 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一基板；TFT元件，设置在所述第一基板上，第一层间绝缘层介于所述第一基板与所述TFT元件之间，所述TFT元件包括半导体层和设置在所述半导体层上的栅极电极，栅极绝缘层介于所述半导体层与所述栅极电极之间；以及第二基板，设置为朝向所述第一基板，其中，所述栅极电极自所述半导体层一侧依次包括第一导电膜和具有遮光性的第二导电膜，并且所述第二导电膜从被设置为插入所述半导体层的一对开口中的每个开口的侧面延伸至底面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680066298.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
