[发明专利]传感器半导体器件和生产传感器半导体器件的方法有效

专利信息
申请号: 201680066475.8 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN108292634B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 内博伊沙·内纳多维奇;阿加塔·沙基奇;米查·因特·赞特;弗雷德里克·威廉·毛里茨·万赫尔蒙特;希尔科·瑟伊;罗埃尔·达门 申请(专利权)人: AMS有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;G01N27/22
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王小衡;胡彬
地址: 奥地利温特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 传感器半导体器件包括具有主表面(2)的基板(1)、在主表面上或上方的传感器区域(3)、在主表面上方的涂覆层(4)以及被形成在传感器区域周围的涂覆层中的沟槽(5)。沟槽提供来自涂覆层的液体的排放。
搜索关键词: 传感器 半导体器件 生产 方法
【主权项】:
1.一种传感器半导体器件,包括:基板(1),其包括主表面(2),传感器区域(3),其在所述主表面(2)上或上方,传感器元件(10),其在所述传感器区域(3)中,以及涂覆层(4),其在所述主表面(2)的上方,所述涂覆层(4)包含所述传感器区域(3),其特征在于,所述传感器元件(10)被所述涂覆层(4)完全覆盖,所述涂覆层(4)由能够被湿气渗透的材料形成,沟槽(5)被形成在所述传感器区域(3)周围的所述涂覆层(4)中,所述沟槽(5)提供来自所述涂覆层(4)的液体的排放,以及所述涂覆层(4)具有背离所述基板(1)的上表面(8),所述上表面(8)在由所述沟槽(5)环绕的区域中是平坦的。
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