[发明专利]气体阻隔性膜有效
| 申请号： | 201680067287.7 | 申请日： | 2016-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN108290376B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 门马千明;铃木一生 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵雁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种气体阻隔性优异且即便在高温高湿下耐弯曲性也高的气体阻隔性膜。本发明的气体阻隔性膜的特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，上述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在上述气体阻隔层的从与上述基膜相反的一侧的表面到上述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键与C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 阻隔 | ||
【主权项】：
1.一种气体阻隔性膜，其特征在于，在基膜上具备气体阻隔层，所述气体阻隔层含有Si原子、O原子和C原子，基于在所述气体阻隔层的从与所述基膜相反的一侧的表面到所述基膜侧的表面为止的层厚方向的0～100％的位置利用X射线光电子能谱法测定的C1s的波形解析的、表示C－C键相对于C－C、C－SiO、C－O、C＝O和C＝OO各键的合计的比率的C－C键分布曲线，在75～100％的层厚方向的位置具有至少一个极大值。
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