[发明专利]形成用于亚分辨率衬底图案化的刻蚀掩模的方法有效
申请号: | 201680067753.1 | 申请日: | 2016-09-20 |
公开(公告)号: | CN108352304B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F7/00;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;陈炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文公开的技术提供了一种用于减小间距(增加间距/特征密度)以用于创建高分辨率特征并且还用于对亚分辨率特征的间距进行切割的方法。技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口。使用一系列材料或材料线的重复图案,其提供基于不同的抗刻蚀性的选择性自对准。结合下面的转移层或记忆层,可以获得多种不同的刻蚀选择性。刻蚀掩模限定多种材料的线的哪些区域可以被刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 形成 用于 分辨率 衬底 图案 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对衬底进行图案化的方法,所述方法包括:提供具有位于下层上的心轴的衬底,所述心轴包括第一材料;在所述心轴的暴露的侧壁上形成第一侧壁间隔件,所述第一侧壁间隔件包括第二材料;在所述第一侧壁间隔件的暴露的侧壁上形成第二侧壁间隔件,所述第二侧壁间隔件包括第三材料;形成填充结构,所述填充结构填充限定在彼此面对的所述第二侧壁间隔件的暴露的侧壁之间的开放空间,所述填充结构包括第四材料,其中,所述心轴、所述第一侧壁间隔件、所述第二侧壁间隔件和所述填充结构的顶表面均未被覆盖,并且其中,所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料和所述第四材料彼此在化学上均不同。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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