[发明专利]电力用半导体装置有效
| 申请号： | 201680068081.6 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN108369927B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 畑中康道;原田耕三;原田启行;西村隆;真船正行;山田浩司 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为‑55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种电力用半导体装置，其特征在于，具备：在上表面形成有金属层的绝缘衬底；与所述金属层的上表面接合的半导体元件及主电极；将所述金属层与所述半导体元件连接的金属配线；与所述绝缘衬底的下表面侧接合的金属构件；包围所述绝缘衬底、且与所述金属构件粘接的壳体构件；和密封树脂，其填充于由所述金属构件与所述壳体构件所包围的区域中，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为‑55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将所述绝缘衬底、所述金属层、所述半导体元件、所述金属配线和所述主电极进行密封。
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